2023.10.06 東北大、CUSICが異なる結晶構造でSiC同士のシームレス積層成功 パワー半導体の電力損失大幅削減へ
東北大学電気通信研究所の桜庭政夫准教授と佐藤茂雄教授、東北大学未来科学技術共同研究センターの長康雄特任教授、技術コンサルティング企業CUSIC（仙台市青葉区）は、3C-SiCと4H-SiC積層のハイブリッド構造基板を、同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）により製作することに世界で初めて成功した。同時に、絶縁膜を形成したハイブリッド構造基板表面の界面準位密度を計測したところ、3C-SiC表面の密度を4H-SiC表面の200分の1以下まで大幅に... (つづく)
