2020.04.29 進化する3D NAND 開発競争過熱 中国も128層で攻勢
3D NANDフラッシュメモリーの開発競争が過熱している。旺盛なデータセンター需要などを背景に、さらなる大容量化・高密度化を実現するための技術開発が進み、今年は100層超えの製品が続々登場する見通しだ。足元では新型コロナウイルス感染拡大の影響など懸念材料もあるが、次世代高速通信規5Gの本格導入によるデータ通信量の増大で、メモリー需要は今後、大幅な伸びが見込まれており、ベンダー各社は攻勢を強めていく。
3D NANDは、データ... (つづく)
