2024.06.14 東芝D＆SがSiC MOSFETを改良 SBD内蔵、高信頼性と短絡耐久性を維持
今回開発したデバイス構造
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、これまでのSBD内蔵SiC（炭化ケイ素）MOSFETを改良し、高い信頼性と短絡耐久性を維持したSiC MOSFETを開発した。深さの異なるバリアー構造を適切に配置したデバイス構造で、内蔵SBDの働きによる逆導通動作に対する信頼性を保ったまま、短絡動作時の破壊原因となるSBD部の電流成分を抑制する。今回の設計技術を活用してデバイス構造を最適化することで、従来構造と比較してオン抵抗の約26％低減に成功した。消... (つづく)
