2024.12.16 キオクシアが新しいDRAM技術　酸化物半導体Tr採用　高いオン電流と極低オフ電流両立

縦型InGaZnOチャンネルトランジスタの断面TEM像

　キオクシアは、高いオン電流と極低オフ電流を両立する酸化物半導体トランジスタ（Tr）を用いた新しいDRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM）技術を開発した。このOCTRAMは、低いオフ電流という特徴により従来のDRAMよりも低消費電力化が期待される。

　同技術は、米国サンフランシスコで開催のIEEEの電子素子に関する国際会議IEDM（International...　　(つづく)