2024.12.20 ラピダス、2ナノメートル半導体向けEUV露光装置の設置開始　生産拠点「IIM-1」（北海道千歳市）に　

式典での記念撮影＝左から横島直彦（NEDO副理事長）、奥家敏和（経済産業省大臣官房審議官）、鈴木直道（北海道知事）、小池淳義（ラピダス社長）、ジム・クーンメン（ASML EVP／CCO）、ヒルス ベスホー・プルッフ（駐日オランダ大使）、横田隆一（千歳市長）の各氏

　半導体新興のラピダスは、建設中の半導体開発・生産拠点「IIM-1」（北海道千歳市）に極端紫外線（EUV）露光装置を搬入し、18日に設置作業を始めた。半導体製造装置大手のオランダASML製「NXE：3800E」は最先端半導体の量産に対応し、日本での導入は初とする。同日には新千歳空港ポルトムホール（同市）で記念式典も開いた。

　同社によると、波長が13.5ナノメートルと短いEUVリソグラフィー工程は2ナノメートル世代のゲートオール...　　(つづく)