米アプライド・マテリアルズは、次世代半導体材料向けの新しい成膜装置2機種を発表した。「Precision Selective Nitride PECVD」と呼ばれる成膜装置はトランジスター同士を電気的に分離するための絶縁構造を強化する役割がある。必要な部分だけ膜を形成できることが特徴だ。隣り合う回路同士の干渉や電力ロスを抑え、チップ全体の電力効率の向上につながるという。

　もう一方の原子層堆積装置「Trillium（トリリウム ）ALD」は、トランジスターのスイッチ部分となる金属構造を原子レベルの精度で形成する。膜の厚さを極めて細かく制御できる。高速処理や省電力といった用途に応じたチップ設計が可能となる。複数工程を一つの装置にまとめられる点も、生産効率の引き上げになるとしている。

　アプライドによると、こうした装置は既に複数の先端ロジック半導体メーカーが着目しており、AI（人工知能）インフラの拡大を支える重要な基盤材料になるとしている。

　世界の半導体業界は、回路の微細化が限界に近付いている折、特に2nm世代以降では「GAA（Gate‑All‑Around）」と呼ばれる新しいトランジスター構造が本格的に使用され、従来以上に精密な材料の積層技術が必要になってくる。

　アプライドの製品について、半導体製品グループのプラブー・ラジャ社長は「AIインフラの拡大を支える基盤技術として材料・成膜分野で大きな役割を果たす」と語っている。