半導体製造装置大手の米アプライドマテリアルズ（AMAT）は、マイクロン・テクノロジやSKハイニックスと、それぞれ個別に次世代DRAMや高帯域幅メモリー（HBM）の共同開発で協業する。両社との研究開発は、近く完成予定のAMATの「EPICセンター」を拠点に行われる。

　EPICセンターは、AMATが50億ドルを投じてカリフォルニア州サンタクララに建設中の新たな研究開発拠点。2月には、サムスン電子が同センター初の創設メンバーになる発表しており、同社もAMATと共同開発を行う。AMATには、半導体メーカー各社と共同研究することで、次世代の最新鋭半導体製造装置の開発期間を短縮したいという狙いがある。

　マイクロンとの提携では、次世代DRAM、HBM、NANDといった各種次世代メモリーの開発を強化する長期的パートナーシップを結んだ。EPICセンターとマイクロンの米アイダホ州ボイジーの先端拠点を結び、材料技術や先端パッケージング技術を共同開発する。

　研究開発から生産工程までの「Lab-to-Fab」体制を構築することで、開発から量産までのスピードを加速化させる。

　SKハイニックスとは、EPICセンターで次世代DRAMやHBMの材料、プロセス統合、熱管理、3D（3次元）パッケージングの開発を推進する。同社のクァク・ノジュンCEOは「共同開発によりAI（人工知能）が進化する上で最大の課題になっているプロセッサーとメモリーの速度のギャップ解消を実現したい」と意気込む。

　AMATのゲイリー・ディッカーソンCEOは「次世代メモリーはAIシステムで将来的に重要な役割を果たす。各社とともに次世代メモリーの商用化に向けた研究を加速させていきたい」と語っている。