三菱電機は、窒化ガリウム（GaN）基板上に作った高周波トランジスタ（GaNトランジスタ）で、結晶欠陥が引き起こす周波数分散の影響を世界で初めて解明し、大幅な抑制を実証した。周波数分散は、動作周波数によって電流の流れやすさが変わる現象。GaN本来の性能を安定して引き出せるようになり、産業用マイクロ波加熱システムなど高周波機器の小型化や高性能化、省電力化につながる。　　　

　同社は、GaN基板上にGaNのエピタキシャル層（エピ層）...　　(つづく)