2024.03.07 【新技術】 ルネサスが高性能マイコン向けロジック混載MRAMマクロ開発　200メガヘルツ超の高速ランダムアクセス読み出し、10.4メガバイト／秒の高速書き換え実現

開発した高性能マイコン向けロジック混載MRAMマクロ

　ルネサスエレクトロニクスは、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリー（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発した。22ナノメートルロジック混載MRAMプロセスによって、10.8メガビットのMRAMメモリーセルアレイを搭載したマイコンテストチップを試作し、ランダムアクセス周波数200メガヘルツ超と、書き換えスループット10.4メガバイト／秒を達成した。

　今回開発した回路技術は次の通り。　　(つづく)