2020.06.17 低電力損失と高い誤動作耐量三菱がパワー半導体「SiC－MOSFET」6種
三菱電機のSiC－MOSFET 1200V－Nシリーズ
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V－Nシリーズ」6品種のサンプル提供を、7月から開始する。
低電力損失と高い誤動作耐量を両立し、高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電などの様々な電源システムの低消費電力化・小型化に貢献する。
JFETドーピング技術（JFET領域の不純物濃度を高濃度化し、デバイスを高密度化する技術）を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載するこ... (つづく)
