2020.12.25 韓国サムスンが新トランジスタ構造採用4/3ナノチップ製造に
サムスンの主要パッケージング技術
【ソウル支局】韓国サムスン電子はこのほど、ファウンドリ事業における4ナノおよび3ナノメートルチップの製造に新トランジスタ構造の「MBCFET」を採用することを表明した。
MBCFETは、マルチブリッジ・チャネル電界効果トランジスタの略称で、GAA(ゲートオールアラウンド)FET技術から派生した技術。チャネルがナノワイヤの形状で複雑な構造となるGAAに対して、新技術はナノシートをゲートに挟み込む構造となっており、ゲートとチャネ... (つづく)