2021.10.06 650VGaNパワーデバイスを共同開発製造独インフィニオンとパナソニックが契約
8インチのGaN-on-Siウエハー
ドイツのインフィニオンテクノロジーズとパナソニックは、より高い効率と電力密度を実現する実証済みの窒化ガリウム（GaN）技術の第2世代（Gen2）の共同開発製造に関する契約を締結した。これにより、インフィニオンは8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していく。
Gen2は、市場の要求に応じて650VのGaN HEMTとして開発されており、特に高出... (つづく)
