キヤノンは13日、前工程向け半導体露光装置の新製品を発売した。光源にi線（波長365ナノメートル）を使い、0.5マイクロメートルの高解像力を持つ。

　「FPA-5550iX」は広画角が特長。前工程で使用するｉ線の露光装置で主流な「26ミリ×33ミリ」の標準画角に対して、「50ミリ×50ミリ」と2倍近い画角を備える。35ミリフルサイズCMOSセンサーの高精細一括露光が可能だ。
フッ化クリプトン（KrF）露光装置で使用するレンズの加工技術を広画角レンズの製造に採用。半導体露光装置への高い需要が続く中、高品質で安定的な生産が可能になった。

　仮想現実（VR）などのクロスリアリティー（XR）デバイス用途として、ヘッドマウントディスプレーでの利用が期待されるマイクロOLED（有機EL）など小型ディスプレー製造での露光工程への適用も可能だ。メタバースなどで没入感を得るのに求められている広画角の一括露光に対応できる。

　（15日付の電波新聞／電波デジタルで詳報します）