米アプライドマテリアルズは、EUV（極端紫外線）を使った新しいパターニング装置「Centura Sculpta」を開発した。

　EUVパターンを2枚作成する「ダブルパターニング」に代わる新しいパターン形成技術「パターンシェイピング」を実装。

　EUVダブルパターニングを用いずに配線とビア（穴）の高密度化が可能になった。

　EUVマスクは1枚の作成（1回のステップ）で済み、2枚のマスクを位置合わせする際の合わせずれの恐れがなくなる。

　工程数や電力消費量が削減されるとともに、製造コストの低減といったメリットが期待できる。

　すでに複数の半導体メーカーでロジックの量産工程に標準採用されているという。

（21日付電波新聞／電波新聞デジタルで詳報します）