2020.03.31 米オン・セミ、GATAと5年間契約 SiC素材で5000万ドル規模

 米半導体大手、オン・セミコンダクターはこのほど、SiC(炭化ケイ素)素材の生産と供給に関して、米GTアドバンスト・テクノロジーズ(GATA)と5年間、総額5000万ドル規模の契約を締結したと発表した。

 SiCは炭素とケイ素の1対1の化合物。高硬度で耐熱性、耐久性に優れており高性能・高効率パワー半導体を実現する素材として注目されている。

 GATAはSiCおよびサファイア材料のメーカーで、今回の提携により...  (つづく)