2024.08.01 SiCパワーモジュールスイッチング時の寄生発振を小さなゲート抵抗で抑制　東芝グループが技術開発

試作モジュールのスイッチング損失（東芝グループ調べ）

　東芝デバイス＆ストレージと東芝（東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素）MOSFETを搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で生じる寄生発振を、従来比60％小さくしたゲート抵抗でも抑制可能な技術を開発した。この技術を適用したパワーモジュールでは、低損失かつ、発振を抑え、高信頼なスイッチング動作が可能となる。

　再生可能エネルギーや、鉄道車両、産業機器などのエネルギー効率の向上が求められる中、高電圧や大電...　　(つづく)