2024.08.15 イサハヤ電子、超小型・低オン抵抗のMOSFETを開発　ポータブル機器などに

　イサハヤ電子は、高速スイッチング、アナログスイッチングなど向けに、超小型外形樹脂封止型シリコンPチャンネルMOS型電界効果トランジスタ「INJ0203BP1」を開発中だ。

　同製品は、低電圧駆動、およびON抵抗を低く設計されているため、ポータブル機器などの低電圧用途に最適。

　主な特長は、入力インピーダンスが高いため、駆動電流を考慮する必要がない。ドレイン電流が大きい（ID＝マイナス2.6A）、駆動電圧はマ...　　(つづく)