STマイクロエレクトロニクスは、第2世代MasterGaNハーフブリッジ･ファミリーで初の製品となる「MasterGaN6」を発表した。

　新パワーSiP（システム･イン･パッケージ）MasterGaN6は、最新のBCD（Bipolar CMOS DMOS）ドライバーと、オン抵抗RDS (on) がわずか140mΩの高性能GaNパワー･トランジスタを集積している。

　STのMasterGaNファミリーで実績のある高集積化技術を活用し、フォルト検出やスタンバイ機能などの専用ピン数を増加し、機能を拡張した。

　これらの機能により、スマートなシステム制御と消費電力の削減を実現する。同時に、LDOとブートストラップ･ダイオードも内蔵しているため、外付け部品を削減しつつ、駆動の最適化が可能となる。

　ドライバは高速のタイミング技術を採用。最小オン時間と伝搬遅延が短いため、高周波数動作が可能になるほか、回路面積の最小化にも貢献する。

　超高速のウェイクアップ時間はバーストモード動作を強化し、低負荷時の効率も最適にする。

　また、貫通電流の防止や過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトなどの包括的な保護機能を内蔵するため、部材コストの低減や基板面積の小型化、回路レイアウトの簡略化を実現できる。

　最大10Aの電流を処理することが可能で、充電器やアダプタ、照明用電源、太陽光発電設備用DC-AC小型インバータなど、コンスーマ機器をはじめ産業用機器向けにも設計されている。

　同製品のハーフブリッジ構成は、アクティブ･クランプ･フライバック（ACF）回路や共振LLC回路、反転出力の降圧コンバータ、力率補正回路（PFC）など、多様な回路トポロジに最適。

　今回の新しいICを迅速に評価できるように、STは評価ボード「EVLMG6」をリリース。eDesignSuiteのPCB熱分布シミュレータにMasterGaN6のモデルを追加した。

　現在量産中で、小型QFNパッケージ（9 × 9mm）で提供する。単価は、1000個購入時に約4.14ドル。