2020.08.04 東芝がＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの新構造開発信頼性を10倍超に向上
東芝デバイス＆ストレージは、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発した。同技術は、MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造。オン抵抗の上昇を抑えながら、同社従来技術に比較してMOSFETの信頼性を10倍以上向上させることが可能。この技術を採用した製品を今月下旬から量産する予定。
パワーデバイスは、自動車や産業機器など、あらゆる分野の省エネルギー化に不可欠な半導体。シリコンカ... (つづく)
