2026.02.17 東芝、次世代パワー半導体の性能引き出す新技術を開発　EVやデータセンターに対応

パワーエレクトロニクス機器でのSiCデバイスの適用効果と課題

　東芝は、次世代パワー半導体として注目される炭化ケイ素（SiC）デバイスの性能を最大限に引き出す二つの新しいゲートドライバー技術を開発したと発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源など、需要が拡大するパワーエレクトロニクス機器の高効率化と小型化を後押しする技術として、早期に実用化したい考えだ。

　パワー半導体は、電力のオンとオフを繰り返すことでパワーエレクトロニクス機器を効率よく制御・動作させる。中でもSiCデバイス...　　(つづく)