2021.04.09 280度ではんだ部材をAgろう化半導体熱研究所が半導体用の新ダイボンド技術

新ダイボンド技術で用いた接合部材シート

　半導体熱研究所（京都市中京区、福井彰代表）は、各種半導体デバイスの銀接合層とセラミック回路基板のCu（銅）電極を280度でSn（スズ）・Ag（銀）系はんだ部材をAg（銀）ろう化して接合する半導体デバイス用ダイボンド技術を開発した。

　IGBTなどのSi（シリコン）半導体、SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイス、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイス、特殊半導体、次世代ダイヤモンド半導体などのダイボンド技術として注目される。<...　　(つづく)