スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、パワーデバイスを制御するICのハーフブリッジ・ゲート・ドライバーについて、窒化ガリウム（GaN）に対応した新製品を発表した。最大定格レール電圧が220Vで、用途は低電圧を中心。産業・通信用のバス電圧や72Vバッテリーを扱うシステム、110VのAC電源の装置を想定する。GaNが得意とする高速スイッチングに対応する構成を採用していることが特長だ。現在量産に入っている。 

　新製品の「STDRIVEG210」と「STDRIVEG211」は、電圧を一定に保つリニアレギュレーターを集積して6Vの信号を生成しつつ、ゲートのオンオフをそれぞれ独立した電流経路で行うことで、高速スイッチングに対応する。外付けだったブートストラップ・ダイオードをICに内蔵することで、設計を簡略化して部品点数を削減できる。 

　STDRIVEG210はサーバーや通信基地局の電源をはじめ、幅広い電源装置に使える。  STDRIVEG211はそれに加え、過電流検出とスマート・シャットダウン機能を備えるため、電動工具や電動自転車など負荷が変動しやすいアプリケーションにも対応する。