2025.12.01 東レ、半導体ウエハーの薄膜化に対応した新規仮貼り材料を開発　薄膜化と厚み均一性を両立

　東レは11月27日、AI（人工知能）半導体に用いられるHBM（次世代高帯域幅メモリー）や、NAND型フラッシュメモリー、パワー半導体など、最薄で厚さ30μm以下の超薄型半導体チップ製造の後工程に対応する新規仮貼り材料を開発し、サンプルワークを開始したと発表した。2028年までの量産化を目指す。

　AIや高速通信の拡大で世界全体のデータ生成量が急増する中で、AI半導体はさらなる処理能力向上のため、半導体チップの積層数を増加しつつ...　　(つづく)