2026.04.03 ローム、8インチSiC MOSFET開発で前倒し達成　次世代パワー半導体、量産化へ前進

　ロームは、NEDOが公募した「グリーンイノベーション基金事業／次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトの研究開発項目「次世代パワー半導体デバイス製造技術開発」で、当初計画から2年前倒しで技術目標を達成したと発表した。テーマは「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」。今後は8インチSiC製造ラインでの本格生産を進め、機器の省エネ・小型化に貢献し、持続可能な社会の実現につなげる。

　同社は、8インチSiCウエハーに対応したエ...　　(つづく)