米オンセミ（ON Semi）は、米グローバルファウンドリーズ（GF）と戦略的提携を結び、次世代のGaN　(窒化ガリウム)電力デバイスを共同開発し、生産に乗り出すことで合意した。

　用途は、AI（人工知能） データセンターや電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、航空宇宙、防衛機器、セキュリティーシステム向けの電源、DC-DCコンバーターなどに適しているという。

　GFが手がける650V対応の「200mm  eMode GaN-on-silicon」プロセス技術とシリコンドライバー、制御回路、熱設計パッケージ技術などを融合。オンセミがAIデータセンターなど向けに、高効率・高密度なGaNパワーデバイスを開発する。

　オンセミのディネッシュ・ラマナタン上席副社長（SVP）は「GFのGaNプロセス技術を導入することで、新しい650V 製品を高成長市場に供給できる」と語った。GF側も「当社の200ミリGaN-on-siliconプラットフォームとオンセミの蓄積された半導体技術の融合により、高効率チップの生産を加速化すると同時に強固な供給体制を構築できる」（最高戦略責任者マイク・ホーガン氏）としている。

　今回に提携により、オンセミは従来のシリコンベースの製品群に加えて、650VのGaN製品を追加することで、低電圧製品から超高電圧まで網羅する製品群のラインアップを強化。GFは、米国を拠点とするGaN製造能力を活用し、GaN製品の供給体制を強化する。

　オンセミによる顧客向けサンプル供給は、2026年上半期に始める予定。オンセミは、時期を置かず量産へ移行する考えを示している。