米マイクロン・テクノロジーがメモリー生産への投資を強化している。今年になってニューヨーク州で合計4棟のDRAM新工場の建設に着手したほか、台湾PSMC（力晶積成電池、パワーチップ）のDRAM工場「P5」を買収している。同社は1月末、シンガポールの既存のNANDフラッシュメモリー工場の敷地内に今後10年間に240億ドルを投入して先端NANDフラッシュメモリー向けのウエハー製造工場を拡張・新設する。新工場は約6.5万平方メートルのクリーンルームを備える。世界的なAIやデータセンター（DC）需要に対応するためで、量産開始は2028年下半期の予定。

　新工場は「NAND　Center of  Excellence」と呼ばれる国内最新の技術工場の一部として建設され、半導体では珍しい2階建て構造、新規雇用は1600人が見込まれ、既に建設開始を発表済みのHBM(高帯域幅メモリー)工場では、1400人含め合計3000人の雇用が見込まれている。70億ドル規模のHBM先端パッケージング工場は、NANDフラッシュメモリーと同一敷地内で建設中だ。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

　27年からHBM向けに本格供給の見込み。3000人のほとんどの従業員がAI（人工知能）、先進のロボティクス、製造工程、運用管理、スマート技術などを組み込んだ製造ラインと工場運用に従事することになる。

　同社のグローバル事業担当マニシュ・バ－ティア執行副社長は最近のメモリー生産強化について、「先進メモリーとストレージ分野における当社のリーダーシップにより世界経済が塗り変わり、AI 主導の変革が推進されることになろう」と語っている。