米IBMと半導体製造装置メーカーの米ラム・リサーチは10日、次世代ロジック半導体開発の最新技術なるサブ1ナノメートル（nm）回路技術の実現に向けて協業することで合意したと発表した。

　両社はこれまで、7nmやナノシート・トランジスター、EUV（極端紫外線）プロセスなどで、10年以上にわたり連携してきた経緯があるが、今回の協業はさらに５年間の枠組みで行われる。「高NA EUV(高開口数EUV露光)技術」や新材料、先端エッチング、成膜技術などを統合した次世代プロセス技術の開発を目指す。

　共同研究の拠点は、IBMが参画する米国の複合施設アルバニー・ナノテック・コンプレックスに設置。ラム・リサーチのドライ・レジスト装置「Aether」、エッチング装置「Kiyo」と「Ａkara」のほか、原子層成膜（ALD）装置「Striker」、世界初のモリブデン用ALD「ALTUS Halo」、先進のパッケージングシステムなどの共同研究で使用する。

　こうした一連の製造装置を組み合わせることで、ナノシートやナノスタック構造、バックサイド・パワー技術など、2030年前後の半導体開発に必要となるプロセス技術の確立を目指す。

　IBMの半導体部門ゼネラルマネジャーでIBM研究所ハイブリッド・クラウド担当のムケシュ・カーレ副社長は「ラム・リサーチとはナノシートや世界初の2nmノードチップなど最先端技術の開発で協業してきた。今回は、さらに高NA EUV露光やサブ1nmの分野でも協業し、新たな挑戦に挑むことになった」と、新分野での協業に意欲を示している。