2026.06.10 2nm半導体の難題、日本のLSTCが解決、ゲート絶縁膜の国際目標達成

　電子回路の線幅を2nm（ナノメートル、ナノは10億分の1）より狭く引いたに等しい微細な工程で製造する先端半導体は、人工知能（AI）の高性能化に欠かせない。動作速度を決める要素の一つが内部の「ゲート絶縁膜」の性能だが、国際目標を到達できずにいた。日本の最先端半導体技術センター（LSTC）は従来と異なる水を使わない製法で解決策を見つけたと9日に発表した。LSTCは材料を工夫して半導体を通る電流を精密に制御し、省電力化につなげる技術も併せて明らかにした...　　(つづく)