2025.07.10 東大と住友電工、2次元電子ガスの散乱機構解明　窒化ガリウムトランジスタの性能向上に期待

　東京大学大学院工学系研究科と住友電気工業の研究グループは、窒化ガリウムトランジスタ（GaN HEMT）の次世代バリアー層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における2次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。

　現在普及している高周波用GaN HEMTの構造では、シリコンカーバイド（SiC）基板上にGaN結晶を成長させ、その上に窒化アルミニウムガリウム（Al...　　(つづく)