2025.07.10 東大と住友電工、2次元電子ガスの散乱機構解明 窒化ガリウムトランジスタの性能向上に期待
東京大学大学院工学系研究科と住友電気工業の研究グループは、窒化ガリウムトランジスタ(GaN HEMT)の次世代バリアー層材料として期待されている窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)と窒化ガリウム(GaN)のヘテロ接合における2次元電子ガス(2DEG)の散乱機構を解明した。
現在普及している高周波用GaN HEMTの構造では、シリコンカーバイド(SiC)基板上にGaN結晶を成長させ、その上に窒化アルミニウムガリウム(Al... (つづく)