TRC、絶縁膜中の分析技術確立　ESR法で欠陥量分布を評価

• 2024.03.06
• 
• 計測
• その他半導体

ADEKA、次世代半導体向け新規材料の製造棟を新設　韓国子会社全州第三工場内に

• 2024.03.05
• 
• 電子デバイス
• その他半導体企業動向電子材料韓国

東芝D＆Sが高電圧変換装置向け圧接型IEGT　定格4500V／3000A

• 2024.03.04
• 
• 電子デバイス
• その他半導体

米商務長官　先端ロジック半導体を支援　国内生産を10年後、世界の2割へ

• 2024.03.01
• 
• 政府
• その他半導体米州

新電元、900V対応の車載向け高耐圧MOSFET2機種を発売

• 2024.03.01
• 
• 電子デバイス
• EVその他半導体

インフィニオン、車載関連の取り組みを強化　ホンダと戦略的協業、オムロンとも連携

• 2024.03.01
• 
• 電子デバイス
• EVその他半導体米州電池

米マイクロン、省電力のHBM3E量産開始　AI向け　エヌビディアが採用

• 2024.02.29
• 
• 電子デバイス
• AIその他半導体メモリ米州

ラピダス、加テンストレントと協業　エッジAI用アクセラレーター開発　29年めどに量産化めざす

• 2024.02.29
• 
• 電子デバイス
• その他半導体協業

STマイクロ、xEV向け積極展開　単体からシステムまで幅広く

• 2024.02.29
• 
• 電子デバイス・材料
• EMEAEVその他半導体

東芝D＆SのパワーMOSFET、最新世代スーパージャンクション構造の高速ダイオード型を発売

• 2024.02.29
• 
• 電子デバイス
• その他半導体

米マイクロンがAI向け省電力メモリーなど　エヌビディアにも採用

• 2024.02.28
• 電子デバイス
• AIその他半導体メモリ米州

ラピダスがエッジAIアクセラレーター開発　テンストレントと協業で

• 2024.02.28
• 
• 電子デバイス
• AIその他半導体協業

ネクスティエレクトロニクス、モビリティー向けAI開発を加速　米エヌビディアのGPU活用　ジーデ...

• 2024.02.28
• 
• 電子デバイス
• GPUその他半導体

TSMC会長、岸田首相らと意見交換　供給網への決意評価

• 2024.02.28
• 
• 電子デバイス
• その他半導体台湾

米ADIが台湾TSMCと提携拡大　長期的なウエハー供給で

• 2024.02.28
• 
• 電子デバイス
• その他半導体台湾提携米州

ロームのGaNデバイス、台湾ブランド「Innergie」に採用

• 2024.02.28
• 
• 電子デバイス
• その他半導体

ラピダス、加の半導体開発企業と協業　エッジAIアクセラレーターの開発・製造

• 2024.02.27
• 電子デバイス
• AIその他半導体協業

先端半導体、米国産2割めざす　商務長官、対中警戒感も

• 2024.02.27
• 政府
• 電子デバイス
• その他半導体米州講演

データセンターは「AI工場」に　エヌビディアのフアンCEO　対中規制で製品群を見直し

• 2024.02.27
• 電子デバイス
• AIその他半導体決算米州

JASM開所式　劉会長があいさつ、今後も積極的に人材採用　熊本などに好影響

• 2024.02.27
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• 電子デバイス
• その他半導体九州式典